近日，北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟對外發布《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術規范》征求意見稿，望相關部門提出寶貴意見。本文件自2021年1月1日開始實施。
 

　　本標準引用了IEC 60747-1-1983 半導體器件 分立器件和集成電路 第 1 部分：總則(Semiconductor devices. Discrete devices - Part 1 : General)； IEC 60747-2-2000 半導體器件 分立器件與集成電路 第 2 部分：整流二極管 (Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits - Part 2: Rectifier diodes)；IEC 60747-8-2010 半導體器件 分立器件 第8部分：場效應晶體管(Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors)；JEITA EDR-4713-2017 化合物半導體可靠性實驗方法準則(Guidelines for Compound Power Semiconductor Device Reliability Test Method)等條款，詳細敘述了該技術的范圍、專用用語、文字符號、基礎額定值和特性、測試方法等方面的內容。
 

　　額定值和特性有關的術語包括：關斷電壓的上升速率、反偏安全工作區、短路安全工作區、雪崩能量、重復雪崩能量、非重復雪崩能量、漏極泄漏電流、漏極-源極的擊穿電壓、(短路)輸入電容、(短路)反向傳輸電容、柵極內阻、開關時間、開通能量、關斷能量、柵極電荷、柵極總電荷、柵極閾值電荷、平臺柵極電荷、柵極漏極電荷、輸出電容電荷、漏極-源極反向電壓、正向恢復電流、正向恢復時間、正向恢復電荷等。
 

　　上述術語中，標準術語有：漏極-源極反向電壓、MOSFET 正向恢復電流、MOSFET 的正向恢復峰值電流、MOSFET 的正向恢復時間、MOSFET 正向恢復電荷、反向漏電流、漏極峰值反向電流。
 

　　其次，文件中所述的文字符號表主要包括電壓、電流、開關能量、雪崩能量、電阻、柵極電荷等方面。具體信息請關注源文件：《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術規范》