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三星開發半導體晶圓級單晶石墨烯新工藝

作者: 2014年04月11日 來源: 瀏覽量:
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【摘要】三星電子近日宣布,三星先進技術研究所(SAIT)與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法,可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。

【摘要】三星電子近日宣布,三星先進技術研究所(SAIT)與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法,可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。

    三星電子近日宣布,三星先進技術研究所(SAIT)與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法,可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。應用該方法制備的半導體單晶,具有優異的電性能和機械性能。該研究負責人說,“我們預計這一發現將加速石墨烯的商業化,并可能開創消費電子技術的新時代?!?/P>

  石墨烯具有比硅(現今在半導體中最廣泛使用的材料)高百倍以上的電子遷移率,比鋼更耐用,并具有高的熱傳導性以及靈活性,這使得它成為柔性顯示器、可穿戴設備等下一代電子設備的理想材料。

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標簽:三星 半導體 晶圓級單晶石墨烯

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